多晶硅片

英文名称 polycrystalline-silicon-solar-cells

性能参数

Dimension:156×156±0.5mm

Thickness:200±20um/240±20um

Diameter:219.2±0.5mm

Conductivity:P Type(Boron Doped)

Resistivity:0.5~2Ω·cm

Minority Carrier Lifetime:2us

中国多晶硅工业的发展

中国多晶硅工业起步于20世纪50年代，60年代中期实现了产业化，到70年代，生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后，消耗大，成本高等原因，绝大部分企业亏损而相继停产或转产。

进入21世纪以来，强大的需求和丰厚的利润刺激着多晶硅产业的迅速膨胀。多晶硅现货价7年内上涨了10倍，高峰时利润率超过800%。截至08年12月，已有超过10家上市公司投资多晶硅项目，已公告的投资额近60亿元，总投资额高达300多亿元。

2009年新春伊始，有两件事情令多晶硅-光伏产业振奋。首先是《能源法》已经提交到法制办，这将直接影响"十二五"期间国家能源政策的整体规划。随后，无锡尚德、赛维LDK、常州天合、林洋新能源、CSI阿特斯、南京冠亚等在内的太阳能电池生产巨头们已将"1元/度"光伏发电成本的方案上交给科技部。这标志着光伏发电入网已经不再那么遥远，这两大利好无疑给予多晶硅-光伏企业一剂兴奋剂。

2009年1月，国家发改委已正式批复，同意在洛阳中硅建设多晶硅材料制备技术国家工程实验室，并安排1500万元国家投资补助资金，这表明海外对中国高纯多晶硅产业的技术壁垒正在被一一打破，对缓解中国多晶硅需求主要依赖进口现状、促进光伏产品成本降低都具有标志性意义。